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CSD17577Q3AT
N沟道 耐压:30V 电流:83A
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- 描述
- CSD17577Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17577Q3AT
- 商品编号
- C2876538
- 商品封装
- VSONP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 103pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这款30V, 4.0 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET™ 功率MOSFET被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。
商品特性
- 低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3 mm × 3.3 mm 封装
应用领域
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对控制和同步FET应用进行了优化