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CSD17551Q3A
30V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- CSD17551Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17551Q3A
- 商品编号
- C2876535
- 商品封装
- VSONP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072093克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 317pF |
商品概述
CSD17551Q3A 是一款 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET。这款 30 V、7.8 mΩ、3.3 mm × 3.3 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅，符合RoHS标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3 mm × 3.3 mm 塑料封装
应用领域
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 优化后可适用于控制场效应晶体管 (FET) 应用