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CSD16412Q5A
1个N沟道 耐压:25V 电流:52A
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- 描述
- CSD16412Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16412Q5A
- 商品编号
- C2876534
- 商品封装
- VSONP-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计，实现低导通电阻RDS(on)
- 坚固可靠
- SOT-23封装