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CSD17382F4T
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.3A
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- 描述
- CSD17382F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17382F4T
- 商品编号
- C2859606
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 347pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40.3pF |
商品概述
该30V、54mΩ N沟道FemtoFET™ MOSFET经过设计和优化，能最大限度地减小在许多手持式和移动应用中的空间占用，可在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小至少60%。
商品特性
- 低导通电阻
- 低Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸 (0402 外壳尺寸)
- 尺寸为1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装
- 厚度为0.36mm
- 集成型ESD保护二极管
- 额定值>3kV人体放电模型 (HBM)
- 额定值>2kV充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合RoHS
应用领域
- 针对负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化
- 单节电池应用
- 手持式和移动类应用