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WSD30L20DN33
耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -20 VGS(th)(v) -1.7 RDS(ON)(m?)@4.176V 30.5 Qg(nC)@4.5V 19 QgS(nC) 6.3 Qgd(nC) 4.5 Ciss(pF) 900 Coss(pF) 140 Crss(pF) 120
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30L20DN33
- 商品编号
- C2758410
- 商品封装
- DFN-8(3x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 16.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
60P03采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -20A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 30 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 17 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理