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STC6614
N/P对增强模式MOSFET,电流:7.0A/-5.0A,耐压:60V/-60V
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- 描述
- STC6614 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STC6614
- 商品编号
- C2682815
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.659克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V；60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.7nC@10V；45.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
STP4403是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
商品特性
- 20V / -10.0A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 30 mΩ
- 20V / -8.6A，VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 35mΩ
- 20V / -7.6A，VGS = -1.8V时，RDS(ON) = 48 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP - 8封装设计
- P沟道
应用领域
- 手机-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路