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STC4606
N沟道和P沟道增强型MOSFET,电流:6.0A/-6.0A,耐压:30V/-30V
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- 描述
- STC4606是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STC4606
- 商品编号
- C2682803
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA；1V@250uA；1.8V@250uA；2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC@10V；18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
ST3401RSG是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 30V / -4.0A，漏源导通电阻（典型值） = 55 mΩ
- @VGS = -10V
- 30V / -3.2A，VGS = -4.5V时，漏源导通电阻 = 62 mΩ
- 30V / -1.2A，VGS = -2.5V时，漏源导通电阻 = 90 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
-手机-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路