温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STC4614
N和P通道,电流:10.0A/-10.0A,耐压:40V/-40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- STC4614 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STC4614
- 商品编号
- C2682813
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.731克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V；13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结原理设计。深沟槽超结MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高鲁棒性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热良好。
商品特性
- N沟道
- 40V/10.0A,RDS(ON) = 25 mΩ(典型值)
- 40V/6.0A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 32 mΩ
- P沟道
- 40V/-10.0A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 37 mΩ(典型值)
- 40V/-5.0A,VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 43 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP - 8封装
应用领域
-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路