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STN1810
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 描述
- STN1810是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。该晶体管适用于笔记本电脑电源管理等应用，以及其他电池供电电路，这些应用需要将高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力相结合
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN1810
- 商品编号
- C2682804
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.287克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
STP4407是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 30V/-10A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 15 mΩ
- 30V/-6.0A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 24 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP-8封装设计