温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP4925
2个P沟道 耐压:30V 电流:7.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- STP4925是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STP4925
- 商品编号
- C2682808
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
STN1810是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。适用于笔记本电脑电源管理等应用，以及其他需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 100V/8.0A，RDS(ON) = 140 mΩ（典型值）
- @VGS = 10V
- 100V/6.5A，RDS(ON) = 150 mΩ @VGS = 7.0V
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP-8封装设计