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ST9435A
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- ST9435A是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电池组、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST9435A
- 商品编号
- C2682807
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V；72mΩ@6V；80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
STN442D采用沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)和栅极电荷。这些器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 60V/20.0A，RDS(ON) = 24 mΩ（典型值）
- @VGS = 10V
- 60V/20.0A，RDS(ON) = 31 mΩ @VGS = 4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 卓越的导通电阻和最大直流电流能力
- TO-252封装设计