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STN4828
2个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 2个N沟道 60V 10A
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN4828
- 商品编号
- C2682801
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
商品概述
STN4526 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理和其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 40V/10.0A，VGS = 10V 时，RDS(ON) = 25 mΩ（典型值）
- 40V/8.0A，VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 31 mΩ
- 超高密度单元设计，可实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- SOP-8 封装设计