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STN4260
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- STN4260是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度工艺制造。这种高密度工艺专门用于最大限度降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN4260
- 商品编号
- C2682800
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.443克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
这些高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列。它们具有极低的恢复电荷Qrr和恢复时间 trr，同时导通电阻RDS(on) 也很低，适用于对效率要求极高的转换器，是桥式拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用