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HESD3B12WS

双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：12A

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描述: 此Bi双向单通道保护组件，额定电压12V，具备承受12A峰值电流的能力，电容值为50pF，适合于要求较高电流处理及信号宽容度的应用，为电路安全增添一份强韧保障。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESD3B12WS
商品编号: C25503313
商品封装: SOD-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.017391克(g)

商品参数

商品概述

HESD3B12WS用于保护敏感半导体组件，使其免遭静电放电和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其优异的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露在静电放电环境下的设计提供了同类产品中保护性能。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不便于使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装为SOD-323。

商品特性

小巧的封装外形尺寸
低封装高度
在8×20μs脉冲下峰值功率可达350W
低泄漏电流
响应时间典型值小于1ns
符合IEC61000-4-2第4级静电放电保护标准
符合IEC61000-4-4第4级电快速瞬变脉冲群保护标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	12V
	钳位电压	37V
	峰值脉冲电流(Ipp)	12A
	峰值脉冲功率(Ppp)	350W@8/20us
	击穿电压(VBR)	13.3V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	50pF