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HPJSD12CW_R1
双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：12A
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- 描述
- 这款Bi双向单通道保护器件，工作电压为12V，峰值电流处理能力达到12A，拥有50pF的电容容值，确保在高能效电路中提供可靠保护的同时，兼容信号完整性需求，是复杂电子系统中保护元件的优选。
- 商品型号
- HPJSD12CW_R1
- 商品编号
- C25503315
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 37V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 12A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 350W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 13.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 50pF |
商品概述
HPJSD12CW_R1可保护敏感半导体组件免受静电放电和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露于静电放电的设计提供了同类防护。它为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。
商品特性
- 小型封装外形尺寸
- 低封装高度
- 在8×20μs脉冲下峰值功率可达350瓦
- 低泄漏电流
- 响应时间典型值小于1纳秒
- IEC61000-4-2 4级静电放电防护
- IEC61000-4-4 4级电快速瞬变脉冲群防护