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HSD12CT1G
双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：12A
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- 描述
- 此款Bi双向单通道保护器件，专为12V电压平台设计，具备处理12A瞬时电流的强劲性能，加之50pF的适中电容值，确保在严苛条件下的电路保护，同时维护信号质量，为电子设备安全运行提供可靠保障。
- 商品型号
- HSD12CT1G
- 商品编号
- C25503318
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 37V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 12A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 350W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 13.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 50pF |
商品概述
HSD12CT1G用于保护敏感的半导体组件，使其免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件所造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容以及快速响应时间为设计提供了的保护。它为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为SOD-323。
商品特性
- 小巧的外形尺寸
- 低矮的封装高度
- 峰值功率高达350 W（在8×20 μs脉冲条件下）
- 低泄漏电流
- 响应时间典型值小于1 ns
- 符合IEC61000-4-2标准第4级静电放电保护
- 符合IEC61000-4-4标准第4级电快速瞬变保护