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CMP10N65
N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- MOS管，TO-220，N沟道，耐压：650V，电流：10A，10V内阻：1Ω，功率：162W，CISS(Typ)：2100PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP10N65
- 商品编号
- C22449530
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 162W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMD40NP06采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- DC/DC转换器