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HC3M0045065D
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 此款碳化硅MOS器件，专为高性能电源管理系统打造，耐压等级达到650V，确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧，优化了导通性能，有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力，适合于中等功率应用，平衡了功率与效率的需求，是现代高效能电子产品设计的理想组件。
- 商品型号
- HC3M0045065D
- 商品编号
- C22449546
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.073333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@20V |