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HC3M0045065D
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 此款碳化硅MOS器件，专为高性能电源管理系统打造，耐压等级达到650V，确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧，优化了导通性能，有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力，适合于中等功率应用，平衡了功率与效率的需求，是现代高效能电子产品设计的理想组件。
- 商品型号
- HC3M0045065D
- 商品编号
- C22449546
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.073333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@20V |
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 采用独立驱动源引脚的优化封装
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容实现高速开关
- 低反向恢复电荷的快速本征二极管
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源