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HC3M0045065K1
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 该碳化硅MOS元件，专为高能效电源转换优化，耐压高至650V，确保卓越的电路保护。内阻低至45毫欧最大值，有助于提升能效，减少热产生。49安培的最大电流承载，针对中流应用精心设计，完美融合了功率与效率，是打造新一代绿色电子设备的优选组件。
- 商品型号
- HC3M0045065K1
- 商品编号
- C22449547
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@20V |