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HAONR21321
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 此款MOS管设计针对低电压应用，拥有30V的耐压值，确保了在轻负载和电池供电设备中的安全使用。内阻仅13毫欧最大，优化了信号传输速度与能效。50安培的电流驱动能力，适合驱动中等电流需求的电路，是消费电子、便携设备领域提升能效与 miniaturization 设计的理想元件。
- 商品型号
- HAONR21321
- 商品编号
- C22449550
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0604克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
65R140是一款采用CMOS先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些器件非常适合用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器-适配器-电源