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HC3M001K170J
ID:6A VDSS:1700V RDON:700mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计，具备超高的1700V耐压，确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高，最大为1000毫欧，但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力，是特殊高压环境下，追求可靠性和耐用性的理想选择。
- 商品型号
- HC3M001K170J
- 商品编号
- C22449551
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@20V |