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CMF9N90
N沟道 耐压:900V 电流:9A
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- 描述
- MOS管，TO-220F，N沟道，耐压：900V，电流：9A，10V内阻：1.2Ω，功率：50W，CISS(Typ)：2750PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF9N90
- 商品编号
- C22449538
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
TO-263塑封封装的N沟道场效应管。
商品特性
- VDS = 80 V，ID = 155 A
- 10 V时，RDS(导通) ≤ 4.5 mΩ（典型值3.5 mΩ）
- 6 V时，RDS(导通) ≤ 9.0 mΩ（典型值4.7 mΩ）
- 无卤产品。
应用领域
- 适用于消费电子、电信和工业电源以及LED背光的升压转换器和同步整流器。