温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMP029N10
100V, 120A N沟道 MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MOS管，TO-220，N沟道，耐压：100V，电流：120A，10V内阻：2.6mΩ，功率：400W，CISS(Typ)：12200PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP029N10
- 商品编号
- C22449540
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.15nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。 这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 大电流、高速开关