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HC3M0015120K
ID:117A VDSS:1200V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅MOS器件专为高电压应用而生，耐压达1200V，提供卓越的电气隔离性能。其内阻仅15毫欧最大值，确保了极低的导通损耗，提升了系统整体效率。117安培的大电流承载能力，为高功率密度设计提供了坚实基础，是追求极致能效与小型化解决方案的理想选择。
- 商品型号
- HC3M0015120K
- 商品编号
- C22449548
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.766667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 117A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@20V |
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