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HC3M00160120D
ID:17A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅MOS管专为高电压场景定制，耐压等级1200V，保障了在严苛条件下的稳定运作。尽管内阻较高，最大为160毫欧，但仍适合于需要高电压支撑而对电流敏感度较低的应用。提供17安培的电流能力，适用于特定高效能电路设计，确保了在特定配置下的可靠功率控制。
- 商品型号
- HC3M00160120D
- 商品编号
- C22449549
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.133333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@20V |
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