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CMS10NP02
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- MOS管，SOP-8，N+P沟道，耐压：20V，电流：10A，4.5V内阻：15mΩ，功率：2W，CISS(Typ)：650PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS10NP02
- 商品编号
- C22449532
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
80P10采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- DC/DC转换器