温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMSC2922A
N沟道 耐压:100V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MOS管，DFN-8 3.3x3.3，N沟道，耐压：100V，电流：10A，10V内阻：86mΩ，4.5V内阻：120mΩ，功率：20W，CISS(Typ)：220PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC2922A
- 商品编号
- C22449535
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
10N65采用先进的平面条形DMOS技术，可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器-适配器-电源