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CMSA012DN06
N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，双N，耐压：60V，电流：30A，10V内阻：13mΩ，4.5V内阻：21mΩ，功率：40W，CISS(Typ)：900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA012DN06
- 商品编号
- C22449533
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMSA012DN06采用先进的工艺技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机、灯具和螺线管控制