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CMSA320N20
N沟道 耐压:200V 电流:36A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，N沟道，耐压：200V，电流：36A，10V内阻：32mΩ，功率：125W，CISS(Typ)：2600PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA320N20
- 商品编号
- C22449534
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMS10NP02采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电平转换-负载开关