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HC3M0030065K
ID:97A VDSS:650V RDON:25mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅MOS器件，专为高效率电源转换设计，具备650V耐压能力，确保在高压环境下稳定工作。其内阻低至最大30毫欧，有助于减少能量损耗，提升系统效率。支持高达97安培的电流通过能力，非常适合需要大电流处理和快速开关应用的需求，是追求能效与可靠性的理想选择。
- 商品型号
- HC3M0030065K
- 商品编号
- C22449545
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.166667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@20V |