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CMP840
N沟道 耐压:500V 电流:8A
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- 描述
- MOS管，TO-220，N沟道，耐压：500V，电流：8A，10V内阻：1.1Ω，功率：140W，CISS(Typ)：1100PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP840
- 商品编号
- C22449531
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
029N10采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 开关应用