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HTPD6V8LP-7-55实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HTPD6V8LP-7-55

单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流:7A

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描述
该ESD保护二极管采用单向设计,专为5V电压级别电路定制,单通道构造专注于点对点静电防护。7A的瞬态电流承受力(IPP)有效阻挡静电冲击,而80pF的电容值虽稍高,但在非极限速度信号线路中,能良好兼顾静电防护与信号通过质量,是确保电子电路稳定性和数据安全的精选组件。
商品型号
HTPD6V8LP-7-55
商品编号
C22440427
商品封装
DFN1006-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0065克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压11.6V;15V
峰值脉冲电流(Ipp)7A
峰值脉冲功率(Ppp)150W@8/20us
击穿电压(VBR)6.2V
属性参数值
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容80pF

商品概述

HTPD6V8LP - 7 - 55可保护敏感半导体组件,避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。 它为设计师提供了灵活性,可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。 封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

  • 高速数据线的瞬态保护
  • IEC 61000 - 4 - 2(ESD):±8kV(接触放电),±15kV(空气放电)
  • IEC 61000 - 4 - 4(EFT):40A(5/50 ns)
  • 峰值功率耗散:150W(8/20μs)
  • 工作电压:5V
  • 超小封装(1.0mm×0.6mm×0.5mm)
  • 保护一条数据、控制线
  • 低电容:80pF(典型值)
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流

数据手册PDF