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HCEST23NC3V3U

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：20A

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描述: 这款单向ESD静电保护二极管专为双通道应用设计，每通道耐压3.3V，能承受20A峰值电流冲击，为低电压电路提供高效防护。120皮法的电容值在确保强效静电保护的同时，对信号传输影响甚微，是移动设备、物联网(IoT)模块及其它低功耗电子产品的理想选择，有效增强系统抗静电能力，保障数据传输的连续性和可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HCEST23NC3V3U
商品编号: C22440446
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.020404克(g)

商品参数

HCEST23NC3V3U 可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。其优异的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于静电放电的设计提供了业界领先的保护。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护两条单向线路。封装为 SOT-23。

为高速数据线提供瞬态保护，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV（接触放电）和 ±30kV（空气放电）标准，以及 IEC 61000-4-4 (EFT) 40A（5/50 ns 脉冲）标准
峰值功耗：350W（8/20μs 波形）
工作电压：3.3V
可保护一条双向线路或两条单向线路
低钳位电压
低泄漏电流