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HVESD15A1-HD1-G4-08
单向ESD 15V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 这款单向ESD静电保护二极管，专为单一电路通道设计，耐压提升至15V（VRWM），能够承受4A的瞬态静电冲击（IPP），为电子设备提供更强有力的保护。其优化的20pF低电容值（CJ），确保了高速信号传输的高效与纯净，是保护各类精密电路和数据线的理想元件。
- 商品型号
- HVESD15A1-HD1-G4-08
- 商品编号
- C22440424
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 15V | |
| 钳位电压 | 30V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 16V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 28pF |
商品概述
HVESD15A1-HD1-G4-08可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条单向线路。采用DFN1006-2L封装。
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准：±8kV（接触），±15kV（空气）；符合IEC 61000-4-4（EFT）标准：40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：150W（8/20us）
- 工作电压：15V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低电容：28pF（典型值）
- 低钳位电压
- 低泄漏电流