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HVESD03A1C-HD1-GS08
单向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：7.5A
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- 描述
- 这款单向ESD保护二极管专为低电压应用设计，VRWM为3.3V，适用于精密电路保护。它具备单通道结构，能承受高达7.5A的瞬态电流冲击，提供强大静电防护。尽管电容值为100pF，但在确保信号线路得到充分静电缓解的同时，仍能满足多数标准速度信号的传输需求，是现代电子设备中防止静电损伤的可靠选择。
- 商品型号
- HVESD03A1C-HD1-GS08
- 商品编号
- C22440425
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 11.5V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7.5A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 2.5uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 100pF |
商品概述
HVESD03A1C - HD1 - GS08可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。 它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条单向线路。 封装形式：DFN1006 - 2L
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触放电）
- ±15kV（空气放电）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：150W（8/20μs）
- 工作电压：3.3V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低电容：105pF（典型值）
- 低钳位电压
- 低泄漏电流