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HPESDUC3D3V3B
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：20A@8/20us
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- 描述
- 该ESD静电保护二极管为双向单通道设计，适合于低电压应用环境，额定电压VRWM为3.3V。凭借其卓越的20A峰值电流处理能力，能有效抑制静电放电造成的损害。1pF的小电容值确保高速信号无延迟通过，是保护敏感电子设备免受静电冲击的高效解决方案。
- 商品型号
- HPESDUC3D3V3B
- 商品编号
- C22440032
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 20A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 400W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 5.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 1pF |
商品概述
HPESDUC3D3V3B器件可保护敏感半导体元件免受静电放电和其他电压瞬变事件的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了卓越的保护。它为设计者提供了在阵列不实用的应用中保护一条双向线路的灵活性。
商品特性
- 超低电容：1 pF
- 低钳位电压
- 低本体高度：0.016英寸 (0.4 mm)
- 截止电压：3.3V
- 低泄漏电流
- 响应时间典型值 < 1.0 ns
- 符合IEC61000-4-2 Level 4静电放电保护标准
- 无铅器件