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HESD3V3D5-TP
单向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：11.2A
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- 描述
- 这款单向ESD静电保护二极管专为精密电路设计，具有单通道配置，工作电压VRWM为3.3V，能有效应对瞬态高压事件。其峰值电流处理能力达11.2A，确保了电路在遭遇静电放电时的稳定与安全。此外，该器件拥有低电容值130pF，有助于减少信号衰减，特别适合于高频或数据传输敏感应用中的静电防护，为您的电子产品提供高效、可靠的保护屏障。
- 商品型号
- HESD3V3D5-TP
- 商品编号
- C22439915
- 商品封装
- SOD-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 14.1V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 11.2A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 158W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 900nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 130pF |
商品概述
HESD3V3D5-TP 可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压瞬变事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露于静电放电风险的设计提供了的保护。它为设计者提供了灵活性，可在无法使用阵列的应用中保护一条单向线路。封装形式为 SOD-523。
商品特性
- 为高速数据线路提供瞬态保护，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV（接触放电）和 ±30kV（空气放电）标准，以及 IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50 ns) 标准。
- 峰值功耗：158W (8/20μs)。
- 工作电压：3.3V。
- 保护一条 Vcc 或数据线路。
- 低钳位电压。
- 低泄漏电流。