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HESD7551N2T5G
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 本产品是一款双向ESD静电保护二极管，专为单线路配置，耐压3.3V，适合低功耗电子设备。4A峰值脉冲电流处理能力，为电路增添稳固的静电防护罩。加之仅0.3pF的超低电容，确保信号完整无损，高速传输畅通无阻，是现代精密电路抗静电干扰的优选器件。
- 商品型号
- HESD7551N2T5G
- 商品编号
- C22439935
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品概述
HESD7551N2T5G可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。 它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活地保护一条双向线路。 封装形式：DFN1006 - 2L
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±8kV（接触）
- ±15kV（空气）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：100W（8/20μs）
- 工作电压：3.3V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低钳位电压
- 低泄漏电流