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HCESD1006UC5VB-M
单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 此款单向ESD静电保护二极管，专为单通道电路定制，工作电压VRWM为5V，能承受4A峰值电流冲击，有效阻挡静电释放造成的危害。其小巧的0.6pF电容值确保高速信号传递无阻，是保护电子设备敏感元件、提升系统可靠性的精妙解决方案。
- 商品型号
- HCESD1006UC5VB-M
- 商品编号
- C22439955
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 60W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.6pF |
商品概述
HCESD1006UC5VB - M可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条单向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。
商品特性
- 高速数据线瞬态保护：IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±20kV（接触）±20kV（空气），IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：60W（8/20μs）
- 工作电压：5V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低电容：0.4pF（典型值）
- 低钳位电压
- 低泄漏电流