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HSZESD8351HT1G
单向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 此款ESD静电保护二极管设计为单向类型，针对单一通道优化，可在3.3V电压下稳定工作。凭借4A的峰值电流承受力，确保电路免受静电放电损伤。其0.6pF的低电容特性，有助于减少信号延迟，非常适合于保护高频传输应用中的敏感组件，提升系统整体的抗扰度和可靠性。
- 商品型号
- HSZESD8351HT1G
- 商品编号
- C22439687
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 60W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.6pF |
商品概述
HSZESD8351HT1G 可保护敏感半导体元件免受静电放电及其他电压瞬变事件导致的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露于静电放电环境的设计提供了同类防护。该器件为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条单向线路。封装形式为 SOD-323。
商品特性
- 为高速数据线提供瞬态保护，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 标准：接触放电 ±8kV，空气放电 ±15kV；符合 IEC 61000-4-4 (EFT) 标准：40A (5/50 ns)
- 峰值功耗：60W (8/20us)
- 工作电压：3.3V
- 保护一条 Vcc 或数据线
- 低钳位电压
- 低泄漏电流