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HESD5411N
双向ESD 7V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
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- 描述
- 这款双向ESD保护二极管专为单一信号线设计，耐压能力强，额定电压VRWM为7V，能有效抑制高达9A的瞬时脉冲电流，保护电路免受静电放电损害。它拥有8pF的低电容值，在确保信号传输质量的同时，提供可靠防护，尤其适合于需要平衡保护与高速数据传输需求的现代电子设备，是防止静电损伤的理想选择。
- 商品型号
- HESD5411N
- 商品编号
- C22439695
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 7V | |
| 钳位电压 | 17V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 9A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 80W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 8pF |
商品概述
HESD5411N可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。
商品特性
- 小外形尺寸
- 低本体高度
- 在8 x 20 μs脉冲下，峰值功率高达80瓦，低泄漏
- 响应时间通常小于1 ns
- IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
- IEC61000 - 4 - 4 4级EFT保护
- 声明产品材料符合RoHS要求