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HCESD923NC3V3B
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
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- 描述
- 本产品是一款双向ESD静电保护二极管，专为单通道电路打造，具备3.3V的低电压保护阈值（VRWM），能有效应对双向电涌，保护精密组件。其峰值脉冲电流处理能力达到11A（IPP），确保在高压瞬态下依然稳定工作。此外，仅15pF的低电容值（CJ）设计，可减少信号延迟，非常适合高速数据线路的静电防护，保障信号完整性。
- 商品型号
- HCESD923NC3V3B
- 商品编号
- C22439677
- 商品封装
- SOD-923
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 7V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 11A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 110W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 20pF |
商品概述
HCESD923NC3V3B器件用于保护敏感的半导体元件，使其免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件所造成的损坏或干扰。其优异的钳位能力、低泄漏、低电容以及快速响应时间，为暴露于静电放电环境的设计提供了卓越的保护性能。该器件为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为SOD-923。
商品特性
- 超低电容：20 pF
- 低钳位电压
- 小型封装外形尺寸：0.031" × 0.024" (0.80 mm × 0.60 mm)
- 低封装高度：0.015" (0.37 mm)
- 击穿电压：3.3V
- 低泄漏电流
- 典型响应时间 < 1.0 ns
- 符合 IEC61000-4-2 Level 4 静电放电保护标准
- 无铅器件