STB10NK60ZT4
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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描述
N沟道,600V,10A,0.75Ω@10V
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB10NK60ZT4商品编号
C221475商品封装
TO-263-2包装方式
编带
商品毛重
1.915克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ | |
功率(Pd) | 115W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.37nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 37pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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