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IRFH7914TRPBF-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 该款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为30V电压下高电流应用设计。提供高达70A连续电流承载能力，适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备出色的导通性能与高效散热技术，是现代紧凑型系统中理想的高性能半导体组件。
- 商品型号
- IRFH7914TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606224
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
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