IRLR3103TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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描述
该N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为30V电压下大电流应用设计。额定连续电流高达20A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和优良散热性能，是现代电子设备实现高效功率控制的理想半导体元件选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRLR3103TRPBF-HXY商品编号
C20606233商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.3633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,10A | |
| 功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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