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IRLR3103TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 该N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为30V电压下大电流应用设计。额定连续电流高达20A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和优良散热性能，是现代电子设备实现高效功率控制的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- IRLR3103TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606233
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRF7807ZTRPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 18 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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