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BSO110N03MS G-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此款SOP-8封装N沟道消费级MOSFET，专为中高电压、大电流应用设计。额定电压30V，具备高达8.5A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、负载开关和电池管理系统，具有低导通电阻及出色的散热性能，是现代电子设备实现高效能功率控制的理想选择。
- 商品型号
- BSO110N03MS G-HXY
- 商品编号
- C20606236
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.103克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
商品概述
IRF9956TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 8.5 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 18 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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