我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
BSZ130N03LS G-HXY实物图
  • BSZ130N03LS G-HXY商品缩略图
  • BSZ130N03LS G-HXY商品缩略图
  • BSZ130N03LS G-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSZ130N03LS G-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:30A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和中高电流应用设计。额定电压30V,可承载30A连续电流,尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备,提供卓越的导通性能与高效散热,是现代电子系统理想的功率开关器件。
商品型号
BSZ130N03LS G-HXY
商品编号
C20606244
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.055276克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)572pF@15V
反向传输电容(Crss)65pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.8

    购买数量

    (5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个5000个/圆盘

    总价金额:

    0.00

    近期成交1