BSZ130N03LS G-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和中高电流应用设计。额定电压30V,可承载30A连续电流,尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备,提供卓越的导通性能与高效散热,是现代电子系统理想的功率开关器件。
- 商品型号
- BSZ130N03LS G-HXY
- 商品编号
- C20606244
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055276克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个5000个/圆盘
总价金额:
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