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BSC042N03MS G-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为大电流应用设计。额定电压30V，具备高达120A的连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、电池管理系统和高功率电子设备，提供卓越的导通性能及高效散热方案，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。
- 商品型号
- BSC042N03MS G-HXY
- 商品编号
- C20606246
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1253克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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