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BSC042N03MS G-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC042N03MS G-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:120A

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描述
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装,专为大电流应用设计。额定电压30V,具备高达120A的连续电流承载能力,尤其适用于电源转换、电池管理系统和高功率电子设备,提供卓越的导通性能及高效散热方案,是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。
商品型号
BSC042N03MS G-HXY
商品编号
C20606246
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.1253克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.485nF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)850pF

数据手册PDF