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BSS806NEH6327-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装，专为低电压、中等电流应用设计。额定耐压20V，支持3A连续电流处理能力，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具备低导通电阻和高效能表现，是现代电子设备的优质功率管理组件。
- 商品型号
- BSS806NEH6327-HXY
- 商品编号
- C20606240
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
IRF7805ZTRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 8.5 A
- RDS(ON) < 18 mΩ（VGS = 10 V时）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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