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IRF9956TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此款SOP-8封装的双N沟道消费级MOSFET，专为中等电压、高效率应用打造。额定电压30V，每个通道可承载高达8.5A连续电流，适用于电源转换、负载共享和电池管理系统，提供低导通电阻及出色的热性能，是现代电子设备理想中的双通道功率开关器件。
- 商品型号
- IRF9956TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606243
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRF7455TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 18 A
- VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.5 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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